IPB037N06N3GATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB037N06N3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC050N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB037N06N3GATMA1 BSC050N04LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.41 $0.41
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (junction) -55C to +150C
パッケージ / ケース PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (unlimited) 1
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
パッケージ — PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

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