IPB039N10N3GATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 比較
詳細な並列比較: IPB039N10N3GATMA1 メーカー: Infineon および IPB110P06LMATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPB039N10N3GATMA1 - 100V 160A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB039N10N3GATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IPB039N10N3GATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.28 | $1.31 |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 160 A | -100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 214 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 3.9 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd typ] | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +175C | -55 C to +175 C (TJ) |
| パッケージ | PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | 1 | — |
| RoHS / Halogen-Free Status | RoHS compliant, halogen-free | — |
| Series / Family | OptiMOS 3 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| パッケージ / ケース | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |