IPB039N10N3GATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB039N10N3GATMA1 por Infineon e IPB110P06LMATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB039N10N3GATMA1 IPB110P06LMATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,28 $1,31
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 160 A -100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 214 W —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 3.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd typ] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55 C to +175 C (TJ)
Encapsulamento PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 —
RoHS / Halogen-Free Status RoHS compliant, halogen-free —
Series / Family OptiMOS 3 —
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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