IPB100N04S4H2ATMA1 vs IAUT165N08S5N029ATMA2 比較

詳細な並列比較: IPB100N04S4H2ATMA1 メーカー: Infineon および IAUT165N08S5N029ATMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUT165N08S5N029ATMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB100N04S4H2ATMA1 IAUT165N08S5N029ATMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.42 $2.30
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (up to 260C peak reflow) —
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance Compliant (Green Product) Green Product (RoHS compliant)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IAUT165N08S5N029ATMA2
Product Family — OptiMOS™ 5
トランジスタタイプ — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) — 165 A
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — 660 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) — 2.9 mΩ (typical)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) — 167 W
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) — 225 mJ
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>)
パッケージ / ケース — PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount)
MSL Rating — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested

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