IPB100N04S4H2ATMA1 vs IAUT165N08S5N029ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB100N04S4H2ATMA1 제조: Infineon 및 IAUT165N08S5N029ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUT165N08S5N029ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPB100N04S4H2ATMA1 IAUT165N08S5N029ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.42 $2.30
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
패키지 PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL1 (up to 260C peak reflow) —
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance Compliant (Green Product) Green Product (RoHS compliant)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IAUT165N08S5N029ATMA2
Product Family — OptiMOS™ 5
트랜지스터 유형 — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) — 165 A
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — 660 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) — 2.9 mΩ (typical)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) — 167 W
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) — 225 mJ
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>)
패키지 / 케이스 — PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount)
MSL Rating — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested

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