IPB100N12S305ATMA2 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB100N12S305ATMA2 メーカー: Infineon および IPC100N04S5L1R5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB100N12S305ATMA2 IPB100N12S305ATMA2 - 120V 100A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS 5

IPB100N12S305ATMA2 - 120V 100A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS 5

IPB100N12S305ATMA2 ✓ 生産中
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IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB100N12S305ATMA2 IPC100N04S5L1R5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.95 $1.18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 120V —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Avalanche Energy (EAS) 1445 mJ —
パッケージ / ケース PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Green Product)
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (260C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
パッケージ — PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100%

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