IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs BSC011N03LSTATMA1 比較

詳細な並列比較: IPC50N04S5L5R5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC011N03LSTATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon

IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon

IPC50N04S5L5R5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPC50N04S5L5R5ATMA1 BSC011N03LSTATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 NRND
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $1.55
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 39 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 72 nC
Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Power Dissipation at TC=25C — 115 W
動作接合温度 — -55C to +150C
Technology — Trench MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス — Compliant

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