IPD082N10N3GATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD082N10N3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC0902NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IPD082N10N3GATMA1 BSC0902NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.14 $0.32
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
動作接合温度 -55°C to +175°C —
パッケージ / ケース PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes Yes
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 30V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) — 24 nC
Output Charge QOSS — 17 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
動作温度範囲 — -55C to +150C (junction)
パッケージ — PG-TDSON-8-6 (TDSON-8)
Built-in Diode — Yes (single with built-in diode)
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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