IPD50N06S409ATMA2 vs IPD50N04S408ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD50N06S409ATMA2 メーカー: Infineon および IPD50N04S408ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ 生産中
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD50N06S409ATMA2 IPD50N04S408ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $0.69
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
ピン数 3 (2 + Tab) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C
MSLレベル — MSL1 (260 °C peak reflow)
Avalanche Tested — 100 % Avalanche tested
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

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