IPD50N06S409ATMA2 vs IPD50N04S408ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD50N06S409ATMA2 제조: Infineon 및 IPD50N04S408ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD50N06S409ATMA2 IPD50N04S408ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.49 $0.69
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
핀 수 3 (2 + Tab) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C
MSL 레벨 — MSL1 (260 °C peak reflow)
Avalanche Tested — 100 % Avalanche tested
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

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