IPD50N06S409ATMA2 vs IPD50N04S408ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD50N06S409ATMA2 от Infineon и IPD50N04S408ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ Активен
Infineon
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD50N06S409ATMA2 IPD50N04S408ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,49 $0,69
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Число выводов 3 (2 + Tab) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +175 °C
Уровень MSL — MSL1 (260 °C peak reflow)
Avalanche Tested — 100 % Avalanche tested
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену