IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD70R1K4P7SAUMA1 比較

詳細な並列比較: IPD60R280P7SAUMA1 メーカー: Infineon および IPD70R1K4P7SAUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 ✓ 生産中
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IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD60R280P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.52
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 700 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel Superjunction (CoolMOS P7)
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 —
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — CoolMOS P7 (700V Superjunction)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID — 1.4 ohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 23 W
動作接合温度 — -55C to +150C
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes (100% avalanche tested)
ESD Protection — Integrated (per datasheet)

データシート&リソース

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