IPD60R600P7ATMA1 vs IPL60R060CFD7AUMA1 比較

詳細な並列比較: IPD60R600P7ATMA1 メーカー: Infineon および IPL60R060CFD7AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 ✓ 生産中
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IPL60R060CFD7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon

IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon

IPL60R060CFD7AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD60R600P7ATMA1 IPL60R060CFD7AUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.71 $4.03
Part Number IPD60R600P7ATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS™ CFD7
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (SJ) / CoolMOS —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 6 A —
On-Resistance (RDS(on)) 490 mOhm (max) —
Power Dissipation (PD, TC) 30 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
動作温度範囲 -55C to +150C (TJ) -40 °C to +150 °C
パッケージ / ケース PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL Level]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Generation CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6) —
Ordering Code Suffix ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 219 W
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V — 60 mΩ
R_DS(on) (typ, datasheet) — 48 mΩ
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V — 79 nC
Input Capacitance (C_iss) — 3193 pF
Output Capacitance (C_oss) — 62 pF
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 4.5 V
パッケージ — PG-VSON-4-1 (Surface Mount)

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