IPD60R600P7ATMA1 vs IPL60R060CFD7AUMA1 비교

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Infineon
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD60R600P7ATMA1 IPL60R060CFD7AUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $4.03
Part Number IPD60R600P7ATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS™ CFD7
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (SJ) / CoolMOS —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 6 A —
On-Resistance (RDS(on)) 490 mOhm (max) —
Power Dissipation (PD, TC) 30 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
동작 온도 범위 -55C to +150C (TJ) -40 °C to +150 °C
패키지 / 케이스 PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL Level]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Generation CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6) —
Ordering Code Suffix ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 219 W
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V — 60 mΩ
R_DS(on) (typ, datasheet) — 48 mΩ
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V — 79 nC
Input Capacitance (C_iss) — 3193 pF
Output Capacitance (C_oss) — 62 pF
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 4.5 V
패키지 — PG-VSON-4-1 (Surface Mount)

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