IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG16N10S4L61AATMA1 メーカー: Infineon および IPC100N04S5L1R5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon

IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon

IPG16N10S4L61AATMA1 ✓ 生産中
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IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG16N10S4L61AATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.12 $1.18
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
パッケージ / ケース PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +175C (TJ) —
湿気感度レベル(MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) 100%
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
動作温度範囲 — -55C to +175C
パッケージ — PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
MSLレベル — MSL1 (260C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS ステータス — Compliant (Green Product)

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