IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N06S4L14AATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG20N04S4L08ATMA1 メーカー: Infineon および IPG20N06S4L14AATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
動作温度 -55°C to +175°C —
パッケージ / ケース PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
MSLレベル MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% (per datasheet)
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Power Dissipation (PD) — 50 W
RDS(on) at VGS=10V — 13.7 mΩ typical
RDS(on) at VGS=4.5V — 14 mΩ typical
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Logic-Level Gate Drive — Yes
動作温度範囲 — -55°C to +175°C (junction)
パッケージ — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Peak Reflow Temperature — 260°C
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Technology — OptiMOS™ Trench

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