IPL60R065P7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 比較

詳細な並列比較: IPL60R065P7AUMA1 メーカー: Infineon および IPL60R105P7AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPL60R065P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.18 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology Family CoolMOS™ P7 (superjunction) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) 41 A —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 65 mΩ (max) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) 201 W —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 3.5 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) 2895 pF —
Rise Time (t<sub>r</sub>) 7 ns —
Fall Time (t<sub>f</sub>) 4 ns —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>) -55C to +150C
パッケージ PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
ピン数 4 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Polarity Single N-channel —
Drain to Source Voltage 650 V (rating per AiEMA spec) —
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) 0.053 Ω —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
ハロゲンフリー Yes Yes
Series — CoolMOS P7
Technology — Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Lead-Free — Yes

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