IPL60R065P7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPL60R065P7AUMA1 제조: Infineon 및 IPL60R105P7AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPL60R065P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.18 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology Family CoolMOS™ P7 (superjunction) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) 41 A —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 65 mΩ (max) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) 201 W —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 3.5 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) 2895 pF —
Rise Time (t<sub>r</sub>) 7 ns —
Fall Time (t<sub>f</sub>) 4 ns —
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>) -55C to +150C
패키지 PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
핀 수 4 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Polarity Single N-channel —
Drain to Source Voltage 650 V (rating per AiEMA spec) —
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) 0.053 Ω —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
할로겐 프리 Yes Yes
Series — CoolMOS P7
Technology — Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Lead-Free — Yes

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청