IPL60R115CFD7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 比較

詳細な並列比較: IPL60R115CFD7AUMA1 メーカー: Infineon および IPL60R105P7AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.65 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPL60R115CFD7AUMA1 —
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 22 A —
On-Resistance (RDS(on)) 115 mOhm (typ, VGS=10V) —
パッケージ / ケース PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Integrated Body Diode Yes - fast body diode (CFD) —
Application Resonant high-power topologies (LLC, PFC) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
RoHS ステータス Compliant (per distributor listings) Compliant
ピン数 4 —
Quantity per Reel [DATA_NEEDED: reel qty] —
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
パッケージ — PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Channel Type — N-Channel
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
ハロゲンフリー — Yes
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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