IPL60R115CFD7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPL60R115CFD7AUMA1 제조: Infineon 및 IPL60R105P7AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPL60R115CFD7AUMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.65 | $0.82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPL60R115CFD7AUMA1 | — |
| Series | CoolMOS CFD7 | CoolMOS P7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 115 mOhm (typ, VGS=10V) | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7) | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Integrated Body Diode | Yes - fast body diode (CFD) | — |
| Application | Resonant high-power topologies (LLC, PFC) | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| 핀 수 | 4 | — |
| Quantity per Reel | [DATA_NEEDED: reel qty] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| 패키지 | — | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |