IPL60R115CFD7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R115CFD7AUMA1 par Infineon et IPL60R105P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPL60R115CFD7AUMA1 —
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 22 A —
On-Resistance (RDS(on)) 115 mOhm (typ, VGS=10V) —
Boîtier / Format PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Integrated Body Diode Yes - fast body diode (CFD) —
Application Resonant high-power topologies (LLC, PFC) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Statut RoHS Compliant (per distributor listings) Compliant
Nombre de broches 4 —
Quantity per Reel [DATA_NEEDED: reel qty] —
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Boîtier — PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Channel Type — N-Channel
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Sans halogène — Yes
Lead-Free — Yes

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