IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPN70R1K4P7SATMA1 メーカー: Infineon および IPN95R3K7P7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPN70R1K4P7SATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS P7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Power Dissipation (PD) at TC 6.2 W —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Super-junction (CoolMOS P7)
パッケージ PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (TJ) —
Configuration Single with built-in diode —
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
DPAK Footprint Compatible Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
動作接合温度 — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

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