IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPN70R1K4P7SATMA1 от Infineon и IPN95R3K7P7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon

IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon

IPN95R3K7P7ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPN70R1K4P7SATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,48 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS P7 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Power Dissipation (PD) at TC 6.2 W —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Super-junction (CoolMOS P7)
Корпус PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (TJ) —
Configuration Single with built-in diode —
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) —
DPAK Footprint Compatible Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Рабочая температура перехода — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену