IPT012N08NF2SATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 比較
詳細な並列比較: IPT012N08NF2SATMA1 メーカー: Infineon および IPB60R040CFD7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPT012N08NF2SATMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.74 | $5.19 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPT012N08NF2SATMA1 | — |
| Product Family | StrongIRFET™ | CoolMOS CFD7 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 39 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 351 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Max | 3.8 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| 動作接合温度 | -55 °C to +175 °C | — |
| パッケージ | PG-HSOF-8-10 (HSOF) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Count (incl. tab) | 9 pins (8+tab) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-derived) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| 消費電力（TC=25°C） | — | 227 W |
| 動作温度範囲 | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| MSLレベル | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |