IQD009N06NM5ATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 比較

詳細な並列比較: IQD009N06NM5ATMA1 メーカー: Infineon および IQE050N08NM5CGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQD009N06NM5ATMA1 IQD009N06NM5ATMA1 - 60V 0.9mΩ N-Ch MOSFET PQFN5x6 | Infineon

IQD009N06NM5ATMA1 - 60V 0.9mΩ N-Ch MOSFET PQFN5x6 | Infineon

IQD009N06NM5ATMA1 ✓ 生産中
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IQE050N08NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon

IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon

IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQD009N06NM5ATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.96 $1.75
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (Ta) 42 A 16 A
Continuous Drain Current (Tc) 445 A 101 A
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 333 W 100 W
RDS(on) Maximum 0.9 mΩ @ VGS = 10 V —
パッケージ PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (Source-Down)
動作温度 -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (TJ max)
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]

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