IQD009N06NM5ATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQD009N06NM5ATMA1 от Infineon и IQE050N08NM5CGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQD009N06NM5ATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,96 | $1,75 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 42 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 445 A | 101 A |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 100 W |
| RDS(on) Maximum | 0.9 mΩ @ VGS = 10 V | — |
| Корпус | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| Рабочая температура | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |