IQDH88N06LM5ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 比較

詳細な並列比較: IQDH88N06LM5ATMA1 メーカー: Infineon および IQDH35N03LM5SCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQDH88N06LM5ATMA1 IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQDH88N06LM5ATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.05 $2.05
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Drain Current (ID) Continuous at Ta 42 A —
Drain Current (ID) Continuous at Tc 447 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 0.86 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc 333 W 278 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
パッケージ PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: TJ max] -55 C to +175 C
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Marking — IQDH35N03LM5S

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