IQDH88N06LM5ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IQDH88N06LM5ATMA1 от Infineon и IQDH35N03LM5SCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IQDH88N06LM5ATMA1 IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IQDH88N06LM5ATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,05 $2,05
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Drain Current (ID) Continuous at Ta 42 A —
Drain Current (ID) Continuous at Tc 447 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 0.86 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc 333 W 278 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Корпус PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: TJ max] -55 C to +175 C
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Marking — IQDH35N03LM5S

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену