IQE008N03LM5ATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: IQE008N03LM5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC020N03LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQE008N03LM5ATMA1 IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQE008N03LM5ATMA1 BSC020N03LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.94 $0.42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 253 A —
On-Resistance RDS(on) Typical 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 89 W —
パッケージ PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typical MOSFET rating) —
Technology OptiMOS 5, Source-Down —
RoHS ステータス Compliant (per LCSC listing) Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
パッケージ / ケース — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

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