IQE013N04LM6ATMA1 vs IAUA220N08S5N021AUMA1 比較

詳細な並列比較: IQE013N04LM6ATMA1 メーカー: Infineon および IAUA220N08S5N021AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUA220N08S5N021AUMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQE013N04LM6ATMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.71 $2.45
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET OptiMOS-5 (75V-120V family)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) —
パッケージ PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-HSOF-5-4 (7x8 mm²)
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C -55C to +175C (Tj)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 220 A
Static Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 2.1 mΩ at 10 V V_GS
Power Dissipation (P_D, Tc) — 211 W
Gate-Source Voltage (V_GS max) — [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
Channel Type — N-Channel
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at V_GS=10V]
Output Capacitance (C_oss) — [DATA_NEEDED: C_oss typical]
Thermal Resistance (R_thJC) — [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance]

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