IQE013N04LM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 比較
詳細な並列比較: IQE013N04LM6ATMA1 メーカー: Infineon および IQE020N04LM6CGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IQE013N04LM6ATMA1 | IQE020N04LM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.71 | $1.75 |
| Technology | OptiMOS N-channel trench MOSFET | OptiMOS 6, TrenchFET-class |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 205 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | — |
| パッケージ | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +175 °C | -55°C to +150°C |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Source-Down Topology | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 166 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 107 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | — | 2.0 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Configuration | — | Single N-Channel, source-down |
| MSLレベル | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |