IQE020N04LM6CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 比較
詳細な並列比較: IQE020N04LM6CGATMA1 メーカー: Infineon および IQE036N08NM6CGSCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IQE020N04LM6CGATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.75 | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 166 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 107 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | 2.0 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| パッケージ | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| Technology | OptiMOS 6, TrenchFET-class | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Configuration | Single N-Channel, source-down | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| パッケージ / ケース | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |