IQE020N04LM6CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IQE020N04LM6CGATMA1 от Infineon и IQE036N08NM6CGSCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ Активен
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IQE020N04LM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,75 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 OptiMOS 6
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 166 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 107 W —
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Корпус PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves)
Technology OptiMOS 6, TrenchFET-class Trench MOSFET (OptiMOS 6)
Configuration Single N-Channel, source-down Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16.7 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 118 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 125 W
Корпус / Типоразмер — PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Packing — Tape and Reel (suffix ATMA1)
Voltage Rating — 60 V to 100 V category (80 V nominal)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену