IQE020N04LM6CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQE020N04LM6CGATMA1 제조: Infineon 및 IQE036N08NM6CGSCATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQE020N04LM6CGATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.75 | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 166 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 107 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | 2.0 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| 패키지 | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| Technology | OptiMOS 6, TrenchFET-class | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Configuration | Single N-Channel, source-down | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |