IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQE008N03LM5CGATMA1 比較

詳細な並列比較: IQE050N08NM5CGATMA1 メーカー: Infineon および IQE008N03LM5CGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQE050N08NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon

IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon

IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQE050N08NM5CGATMA1 IQE008N03LM5CGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.75 $0.74
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Continuous Drain Current (Ta) 16 A —
Continuous Drain Current (Tc) 101 A —
On-Resistance RDS(on) Max 5.0 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
パッケージ PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) PG-TTFN-9-1 (8-PowerTDFN) with wettable flanks
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Source-Down) —
Gate Threshold Vgs(th) Typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
動作温度 -55°C to +175°C (TJ max) —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] —
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 253 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.85 mOhm (typ) @ 20 A
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 64 nC (typ)
Input Capacitance (Ciss) at VDS=15V — 5700 pF (typ)
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss typical]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 89 W
動作温度範囲 — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant per Infineon product page)
AEC-Q100 Automotive — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status]

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