IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 比較

詳細な並列比較: IQEH68NE2LM7UCGATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N06S5L015ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ 生産中
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IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.35 $0.92
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc 338 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc 130 W —
Gate Threshold Voltage Type Logic-level (per OptiMOS 7 family) —
On-Resistance Family RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) -55C to +175C (Tj)
パッケージ PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant (per distributor listing) Compliant
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Packaging Tape & Reel (per ATMA1 suffix) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

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