IRF4905STRLPBF vs IRF4905STRRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF4905STRLPBF メーカー: Infineon および IRF4905STRRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF4905STRLPBF IRF4905STRRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $0.94
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
動作温度範囲 -55C to +175C —
パッケージ D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (Advanced Process)
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C

データシート&リソース

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