IRF7351TRPBF vs IRF7105TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7351TRPBF メーカー: Infineon および IRF7105TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF7351TRPBF IRF7105TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.68 $0.30
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 8 A —
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
パッケージ 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
RoHS ステータス Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free Yes —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Part Series — IRF7105 (HEXFET Fifth Generation)
Polarity / Configuration — N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 25 V
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) — 3.5 A
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) — 2.3 A
Rds(on) Maximum — 100 mOhm
Total Package Power Dissipation (Pd) — 2 W
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: junction temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Packaging Form — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS Status — Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant
ピン数 — 8

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