IRF7469TRPBF vs IPB024N10N5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IRF7469TRPBF メーカー: Infineon および IPB024N10N5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF - 40V N-Ch 9A 17mOhm SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7469TRPBF - 40V N-Ch 9A 17mOhm SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7469TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7469TRPBF IPB024N10N5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.37 $1.86
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
動作温度範囲 -55°C to +150°C (Tj) -55C to +175C (junction)
パッケージ 8-SO (SOIC-8) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes Yes (per Infineon product family policy)
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)

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