IRF7469TRPBF vs IPB024N10N5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7469TRPBF por Infineon e IPB024N10N5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7469TRPBF IPB024N10N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,37 $1,86
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (Tj) -55C to +175C (junction)
Encapsulamento 8-SO (SOIC-8) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes Yes (per Infineon product family policy)
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)

Fichas técnicas e recursos

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