IRF7469TRPBF vs IRF7495TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7469TRPBF メーカー: Infineon および IRF7495TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF - 40V N-Ch 9A 17mOhm SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7469TRPBF - 40V N-Ch 9A 17mOhm SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7469TRPBF ✓ 生産中
Infineon
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7469TRPBF IRF7495TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.37 $0.65
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
動作温度範囲 -55°C to +150°C (Tj) -55 C to +150 C (TJ)
パッケージ 8-SO (SOIC-8) 8-SOIC (SO-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) 1 (unlimited)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C — 7.3 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — 34 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) Max — 1530 pF at 25 V
Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C — 2.5 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Estimated EOL Date — 2027
ECCN — EAR99

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