IRF7469TRPBF vs IRF7495TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF7469TRPBF от Infineon и IRF7495TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF7469TRPBF | IRF7495TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,37 | $0,65 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C | 9 A | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 17 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +150°C (Tj) | -55 C to +150 C (TJ) |
| Корпус | 8-SO (SOIC-8) | 8-SOIC (SO-8) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 (unlimited) | 1 (unlimited) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C | — | 7.3 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | 34 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) Max | — | 1530 pF at 25 V |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C | — | 2.5 W |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Estimated EOL Date | — | 2027 |
| ECCN | — | EAR99 |