IRF7469TRPBF vs IRF7495TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7469TRPBF por Infineon e IRF7495TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7469TRPBF IRF7495TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,37 $0,65
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (Tj) -55 C to +150 C (TJ)
Encapsulamento 8-SO (SOIC-8) 8-SOIC (SO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C — 7.3 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — 34 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) Max — 1530 pF at 25 V
Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C — 2.5 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Estimated EOL Date — 2027
ECCN — EAR99

Fichas técnicas e recursos

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