IRF7495TRPBF vs IRF7854TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7495TRPBF メーカー: Infineon および IRF7854TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7495TRPBF IRF7854TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.48
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C 7.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 22 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ 34 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) Max 1530 pF at 25 V —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C 2.5 W —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (TJ) -55°C to +150°C (TJ)
パッケージ 8-SOIC (SO-8) SO-8
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Estimated EOL Date 2027 —
ECCN EAR99 —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

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