IRF7907TRPBF vs IRF7313TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7907TRPBF メーカー: Infineon および IRF7313TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF7907TRPBF IRF7313TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.43 $0.27
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 9.1 A per channel at 25 C —
Pulsed Drain Current (IDM) Max 11 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 11.8 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V (typ) —
Total Power Dissipation (PD) Max 2 W —
動作温度範囲 -55 C to +150 C -55C to +150C (junction)
パッケージ 8-SOIC (SO-8) 8-pin SOIC (SO-8) surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation)
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS ステータス Compliant —
Channel Polarity N-Channel (both) —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7313TRPBF
Transistor Configuration — Dual N-Channel (Independent)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max — 6.5 A per channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 29 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) max — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (typical range)
Lead-Free / Pbf — Yes (lead-free plating)
Avalanche Rated — Yes
MSLレベル — 1
Qualification Standard — Consumer market (per IR datasheet)
Shipping Media — Tape & Reel (TRPBF suffix)

データシート&リソース

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