IRF7907TRPBF vs IRF7313TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7907TRPBF por Infineon e IRF7313TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7907TRPBF IRF7313TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,43 $0,27
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 9.1 A per channel at 25 C —
Pulsed Drain Current (IDM) Max 11 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 11.8 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V (typ) —
Total Power Dissipation (PD) Max 2 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55C to +150C (junction)
Encapsulamento 8-SOIC (SO-8) 8-pin SOIC (SO-8) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation)
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Status RoHS Compliant —
Channel Polarity N-Channel (both) —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7313TRPBF
Transistor Configuration — Dual N-Channel (Independent)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max — 6.5 A per channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 29 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) max — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (typical range)
Lead-Free / Pbf — Yes (lead-free plating)
Avalanche Rated — Yes
Nível MSL — 1
Qualification Standard — Consumer market (per IR datasheet)
Shipping Media — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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