IRF9540NSTRLPBF vs IRF9530NSTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF9540NSTRLPBF メーカー: Infineon および IRF9530NSTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF9540NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.58 $0.65
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Product Type Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) -23 A (at Tc) —
On-Resistance (Rds(on)) 117 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 38.7 nC (typ)
Power Dissipation (Ta) 3.1 W —
Power Dissipation (Tc) 110 W —
パッケージ D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, Advanced Process HEXFET (Planar DMOS)
Polarity P-Channel P-Channel
Operating Mode Enhancement-mode —
Avalanche Rated Yes [DATA_NEEDED: EAS rating]
Lead Finish Pb-free, RoHS-compliant —
Shipping Media Tape and Reel (TR suffix) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -14 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 200 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 79 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Thermal Resistance Theta_JC — 1.5 C/W (typ)
動作温度範囲 — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)

データシート&リソース

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