IRF9Z34NPBF vs IRF7205TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF9Z34NPBF メーカー: Infineon および IRF7205TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF9Z34NPBF IRF7205TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.18
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A —
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
動作温度範囲 -55C to +175C (junction) —
パッケージ TO-220AB (through-hole, 3-pin) SO-8 (8-SO)
実装タイプ Through Hole Surface Mount
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) IR HEXFET (4th generation)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS ステータス Compliant —
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
消費電力(TC=25°C) — 2.5 W
動作接合温度 — -55 °C to +150 °C
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

データシート&リソース

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