IRFR220NPBF vs IRFZ24NPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR220NPBF メーカー: Infineon および IRFZ24NPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFR220NPBF IRFZ24NPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.46
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A 17 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W 45 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
実装タイプ Surface Mount Through Hole
パッケージ / ケース TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET planar cell
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 13.3 nC
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
動作接合温度 — -55C to +175C
パッケージ — TO-220AB (through hole)
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Qualification — JEDEC standard
Channel Mode — Enhancement

データシート&リソース

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