IRFR4615TRLPBF vs IRF150P220AKMA1 比較

詳細な並列比較: IRFR4615TRLPBF メーカー: Infineon および IRF150P220AKMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR4615TRLPBF IRF150P220AKMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.39 $3.55
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W —
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
動作温度範囲 -55C to +175C -55C to +175C
パッケージ TO-252AA (DPAK) TO-247-3 (PG-TO247-3)
実装タイプ Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
単一パルスアバランシェエネルギー 109 mJ —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRF150P220AKMA1
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 556 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼